ক্ষুদ্র লোড কোষের কাজের নীতি প্রাথমিকভাবে স্ট্রেন প্রভাবের উপর ভিত্তি করে। যখন সেন্সরটি বাহ্যিক শক্তির অধীন হয়, তখন এর অভ্যন্তরীণ ইলাস্টিক সেন্সিং উপাদানটি মিনিটে যান্ত্রিক বিকৃতির মধ্য দিয়ে যায়। এই বিকৃতিটি ইলাস্টিক বডির সাথে সংযুক্ত বা একত্রিত স্ট্রেন গেজ (স্ট্রেন প্লেট) এর প্রতিরোধে একটি অনুরূপ পরিবর্তন ঘটায়। সেন্সর সাধারণত একটি Wheatstone ব্রিজ (সম্পূর্ণ-ব্রিজ সার্কিট) ডিজাইন ব্যবহার করে যাতে স্ট্রেন গেজ প্রতিরোধের পরিবর্তনকে প্রয়োগ করা শক্তির সমানুপাতিক দুর্বল ভোল্টেজ সংকেত আউটপুটে রূপান্তর করা হয়।
মাইক্রোইলেক্ট্রোমেকানিকাল সিস্টেম (MEMS) প্রযুক্তির বিকাশের সাথে, ক্ষুদ্র লোড কোষের আকার উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করা হয়েছে। এর মূল প্রযুক্তিটি সেমিকন্ডাক্টর পাইজোরেসিটিভ সেন্সিং উপাদানগুলিতেও প্রসারিত হয়েছে, আয়ন ইমপ্লান্টেশন এবং পাতলা{1}}ফিল্ম ডিপোজিশনের মতো প্রক্রিয়াগুলি ব্যবহার করে সিলিকন সাবস্ট্রেটে পাইজোরেসিস্টর তৈরি করে৷ উপরন্তু, উদ্ভাবনী নমনীয় সাবস্ট্রেট ডিজাইন সেন্সরকে পরিমাপের জন্য বাঁকা পৃষ্ঠের সাথে সামঞ্জস্য করতে দেয়।